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磁控溅射靶基距的调整

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在一本书上看见溅射过程中,靶基距和粒子的平均自由程有关,本底真空度会影响自由程的大小。所以靶基距也算是一个工艺参数。但是一般人们普遍更关心溅射功率啊,溅射压强啊,衬底加热温度等等,是不是靶基距这个参数和前面几个相比,不是那么敏感的一个参数?
靶基距在薄膜的生长过程中,会在哪些方面产生影响?
如果靶基距超过或者低于自由程,会使得薄膜产生什么变化?
悉听各位朋友的见解,有任何想法都可以回复~
谢谢各位朋友,向大家学习!
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